台积电：美国5纳米芯片厂已开建 3纳米明年下半年量产

6月2日消息 据台媒报道，台积电投资120亿美元在美国亚利桑那州建5纳米芯片厂，公司高管周二表示，工厂已经开始建设。此外，下一代3纳米技术正在按计划推进，目标是在明年下半年开始量产。

此前，美国政府提供540亿美元补贴芯片企业赴美建厂计划，台积电、英特尔、三星全部跃跃欲试。最新消息称，台积电已投资120亿美元在美国亚利桑那州建芯片厂，工厂已经开始建设。台积电CEO在公司线上年会召开时表示，从2024年开始工厂将会用5纳米技术量产芯片。

此外，台积电还表示，继2020年领先业界量产5纳米（N5）技术，良率提升的速度较前1世代的7纳米技术更快之后，3纳米（N3）技术将于2022年下半年开始量产，届时将成为全球最先进的逻辑技术。N3将凭着可靠的FinFET电晶体架构，支援最佳的效能、功耗效率以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。