英特尔：1.8纳米制程工艺芯片预计2025年投产

【IT巴士综合】8月5日讯 日前英特尔 CEO Pat Gelsinger 和技术开发高级副总裁 Ann Kelleher 披露未来计划。首先英特尔已经不再沿用之前的产品命名方式。他们之前将 10 纳米芯片命名为「Enhanced Superfin」，现在直接改名为「7」。

英特尔预计今年秋天将推出 Alder Lake 芯片，将高功率和低功率核心融合在一起。之后则是将目前的 4 纳米 Meteor Lake 芯片迁移到 tile 设计，并融合英特尔的 3D 堆叠芯片技术 Foveros。

除此之外，英特尔还为基于 EUV 的 3 纳米芯片设计了一项技术，将会使用高能制造工艺简化芯片制造流程，并为埃米级技术规划了「20A」的入门单位。1 埃米等于 1/10 纳米，所以 20A 的意思就是 2 纳米，此后还有 18A。18A（1.8 纳米）产品预计将从 2025 年开始投入生产，相应的产品将在 2025 至 2030 年间面市。

虽然这些工艺水平已经不再直接对应实际的物理结构，但一个硅原子确实只在 2 埃米宽的范围内，因此的确是非常小的晶体管了。

这项计划看似非常激进，而且英特尔以往达成这类目标方面表现不佳。但即使能够接近这些目标，未来几年的笔记本电脑和台式机也将迎来巨大的性能提升。

上月下旬，英特尔发布了第二季度财报，根据财报显示，英特尔第二季度营收达 196 亿美元，同比基本持平。财报显示，英特尔第二季度净利润为 50.6 亿美元，同比下降 0.9%。每股摊薄收益为 1.24 美元。不按照美国通用会计准则，英特尔第二季度调整后净利润为 52 亿美元，每股收益为 1.28 美元。